"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Диэлектрические свойства поликристаллического ZnS
Шеваренков Д.Н.1, Щуров А.Ф.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 23 марта 2005 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2005 г.

Представлены результаты исследований температурных и частотных зависимостей диэлектрической проницаемости поликристаллического сульфида цинка. Произведен теоретический расчет диэлектрической проницаемости по параметрам электронной структуры. Показано, что увеличение диэлектрической проницаемости в области частот ниже 10 кГц происходит из-за объемнозарядовой поляризации, которая обусловлена наличием заряженных дислокаций в межслоевых и межзеренных границах. PACS: 78.20.Ci, 77.22.Ej, 77.22.Gm
  • У. Харрисон. Электронная структура и свойства твердых тел (М., Мир, 1983) т. 1. с. 381
  • С.Ю. Давыдов, С.К. Тихонов. ФТТ, 37 (1), 3044 (1995)
  • Дж. Рейсленд. Физика фононов (М., Мир, 1975) с. 365
  • А.Ф. Щуров, В.А. Перевощиков, Т.А. Грачева, Н.Д. Малыгин, Д.Н. Шеваренков, Е.М. Гаврищук, В.Б. Иконников, Э.В. Яшина. Неорг. матер., 40 (2), 138 (2004)
  • Н.П. Богородицкий, Ю.М. Волокобинский, А.А. Воробьев, Б.М. Тареев. Теория диэлектриков (М.--Л., Энергия, 1965) с. 344
  • Ю.А. Осипьян, В.Ф. Петренко. Физика соединений A-=SUP=-2-=/SUP=--=SUB=--=/SUB=-B-=SUP=-6-=/SUP=--=SUB=--=/SUB=-, под ред. А.Н. Георгобиани, М.К. Шейнкмана (М., Наука, 1986)
  • А.Ф. Щуров, Е.М. Гаврищук, В.Б. Иконников, Э.В. Яшина, А.Н. Сысоев, Д.Н. Шеваренков. Неорг. матер., 40 (4), 400 (2004)
  • Y. Drezner, S. Berger, M. Hefetz. J. Mater. Sci., B87, 59 (2001)
  • А.И. Колюбакин, Ю.А. Осипьян, С.А. Шевченко. ФТТ, 25 (7), 2146 (1983)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.