Изучены распределение интенсивности электролюминесценции по площади и во времени до и после оптической деградации голубых InGaN/GaN-светодиодов. Проведены измерения $I-V$-характеристик. Обнаружено, что первоначально наиболее яркое свечение вблизи области металлизации $p$-контакта сменилось на слабое свечение после деградации светодиода. Обнаружена временная задержка ($~\; 20-40$ нс) в распределении интенсивности электролюминесценции по площади светодиодов после их деградации. Предполагается, что рост избыточного тока после деградации обусловлен увеличением плотности состояний на гетерогранице InGaN/GaN и формированием электрического диполя, снижающего потенциальные барьеры в слоях $p$-GaN и $n$-GaN. Соответствующее увеличение емкости приводит к временной задержке растекания инжекционного тока и распределения яркости свечения по площади. Планарная неоднородность инжекции носителей заряда в квантовую яму до и после оптической деградации связывается с диффузией и электромиграцией водорода, индуцированной механическими напряжениями. Металлизация $p$-контакта может быть причиной генерации механических напряжений.

PACS: 85.60.Jb, 78.60.Fi