Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Неоднородность инжекции носителей заряда и деградация голубых светодиодов
Бочкарева Н.И.1, Ефремов А.А.2, Ребане Ю.Т.1, Горбунов Р.И.1, Клочков А.В.1, Шретер Ю.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 24 мая 2005 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2005 г.
Изучены распределение интенсивности электролюминесценции по площади и во времени до и после оптической деградации голубых InGaN/GaN-светодиодов. Проведены измерения I-V-характеристик. Обнаружено, что первоначально наиболее яркое свечение вблизи области металлизации p-контакта сменилось на слабое свечение после деградации светодиода. Обнаружена временная задержка (~ 20-40 нс) в распределении интенсивности электролюминесценции по площади светодиодов после их деградации. Предполагается, что рост избыточного тока после деградации обусловлен увеличением плотности состояний на гетерогранице InGaN/GaN и формированием электрического диполя, снижающего потенциальные барьеры в слоях p-GaN и n-GaN. Соответствующее увеличение емкости приводит к временной задержке растекания инжекционного тока и распределения яркости свечения по площади. Планарная неоднородность инжекции носителей заряда в квантовую яму до и после оптической деградации связывается с диффузией и электромиграцией водорода, индуцированной механическими напряжениями. Металлизация p-контакта может быть причиной генерации механических напряжений. PACS: 85.60.Jb, 78.60.Fi
- S. Nakamura, G. Fasol. The Blue Laser Diode: GaN Based Light Emitters and Lasers (Springer, 1998)
- M. Osinski, J. Zeller, P.-C. Chiu, B.S. Phillips, D.L. Barton. Appl. Phys. Lett., 69, 898 (1996).
- M. Osinski, D.L. Barton, P. Perlin, J. Lee. J. Cryst. Growth, 189/190, 808 (1998)
- Introduction to Nitride Semiconductor Blue Laser and Ligth Emitting Diodes, eds. by S. Nakamura, S.F. Chichibu (London-N. Y.: Taylor \& Francis, 2000)
- А.Н. Ковалев, Ф.И. Маняхин, В.Е. Кудряшов, А.Н. Туркин, А.Э. Юнович. ФТП, 33, 242 (1999)
- A.E. Yunovich, V.E. Kudryashov, S.S. Mamakin, A.N. Turkin, A.N. Kovalev, F.I. Manyakhin. MRS Int. J. Nitride Semicond. Res., 5S1, W11.25 (2000); http://nsr.mij.mrs.org /5S1/W11.25/
- Y.T. Rebane, N.I. Bochkareva, V.E. Bougrov, D.V. Tarkhin, Y.G. Shreter, E.A. Girnov, S.I. Stepanov, W.N. Wang, P.T. Chang, P.J. Wang. Proc. SPIE, 4996, 113 (2003)
- Н.И. Бочкарева, E.A. Zhirnov, А.А. Ефремов, Ю.Т. Ребане, Р.И. Горбунов, Ю.Г. Шретер. ФТП, 39, 627 (2005)
- Н.И. Бочкарева, Е.А. Жирнов, А.А. Ефремов, Ю.Т. Ребане, Р.И. Горбунов, Ю.Г. Шретер. ФТП, 39, 829 (2005)
- X. Guo, E.F. Schubert. Appl. Phys. Lett., 78, 3337 (2001)
- P.Fischer, J. Christen, S. Nakamura. Jpn. J. Appl. Phys., 39, L129 (2000)
- P. Fischer, J. Christen, M. Zacharias, V. Schwegler, C. Kirchner, M. Kamp. Jpn. J. Appl. Phys., 39, 2414 (2000)
- D.L. Hibbard, S.P. Jung, C. Wang, D. Ullery, Y.S. Zhao, H.P. Lee, W. So, H. Liu. Appl. Phys. Lett., 83, 311 (2003)
- T. Arai, H. Sueyoshi, Y. Koide, M. Moriyama, M. Murakami. J. Appl. Phys., 89, 2826 (2001).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
