| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Электронный обмен между нейтральными и ионизованными центрами германия в PbSe
И.Е.Теруков, Э.С.Хужакулов
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
Ташкентский областной государственный педагогический институт,
702500 Ангрен, Узбекистан
(Получена 12 апреля 2005 г. Принята к печати 25 апреля 2005 г.)
| Показано, что зарядовое состояние антиструктурного дефекта Ge, образующегося в анионной подрешетке PbSe после радиоактивного превращения As, не зависит от положения уровня Ферми. В противоположность этому центр Ge в катионной подрешетке PbSe представляет собой электрически активную примесь замещения: в электронных образцах спектр отвечает нейтральному состоянию донорного центра (Ge), а в дырочных --- двукратно ионизованному состоянию (Ge) этого центра. Для частично компенсированных образцов обнаружен быстрый электронный обмен между нейтральными и ионизованными донорными центрами. |
| PDF версия (107Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2005, Коллектив авторов Разработано... webmaster |