"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Мёссбауэровское исследование двухэлектронных донорных центров германия в PbSe
Теруков Е.И.1, Хужакулов Э.С.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Ташкентский областной государственный педагогический институт, Ангрен, Узбекистан
Поступила в редакцию: 30 марта 2005 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2005 г.

Методом эмиссионной мёссбауэровской спектроскопии на изотопе 73As(73Ge) показано, что зарядовое состояние антиструктурного дефекта 73Ge, образующегося в анионной подрешетке после радиоактивного превращения 73As, не зависит от положения уровня Ферми. В противоположность этому, центр 73Ge в катионной подрешетке PbSe представляет собой электрически активную примесь замещения: в электронных образцах спектр отвечает нейтральному состоянию донорного центра (73Ge2+), а в дырочных --- двукратно ионизованному состоянию (73Ge4+) этого центра.
  • С.А. Немов, Ю.И. Равич. УФН, 168, 817 (1998)
  • Ф.С. Насрединов, С.А. Немов, В.Ф. Мастеров, П.П. Серегин. ФТТ, 41 (11), 1897 (1999)
  • С.А. Немов, П.П. Серегин, Ю.В. Кожанова, Н.П. Серегин. ФТП, 37 (12), 1414 (2003)
  • N.P. Seregin, P.P. Seregin, S.A. Nemov, A.Yu. Yanvareva. J. Phys.: Condens. Matter, 15, 7591 (2003)
  • С.И. Бондаревский, В.В. Еремин, Н.П. Серегин. В кн.: Фундаментальные исследования в технических университетах. Матер. V Всеросс. конф. по проблемам науки и высшей школы (СПб., 2001) с. 121
  • С.А. Немов, П.П. Серегин, С.М. Иркаев, Н.П. Серегин. ФТП, 37 (3), 279 (2003)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.