"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Мёссбауэровское исследование двухэлектронных донорных центров германия в PbSe
Теруков Е.И.1, Хужакулов Э.С.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Ташкентский областной государственный педагогический институт, Ангрен, Узбекистан
Поступила в редакцию: 30 марта 2005 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2005 г.

Методом эмиссионной мёссбауэровской спектроскопии на изотопе 73As(73Ge) показано, что зарядовое состояние антиструктурного дефекта 73Ge, образующегося в анионной подрешетке после радиоактивного превращения 73As, не зависит от положения уровня Ферми. В противоположность этому, центр 73Ge в катионной подрешетке PbSe представляет собой электрически активную примесь замещения: в электронных образцах спектр отвечает нейтральному состоянию донорного центра (73Ge2+), а в дырочных --- двукратно ионизованному состоянию (73Ge4+) этого центра.
  1. С.А. Немов, Ю.И. Равич. УФН, 168, 817 (1998)
  2. Ф.С. Насрединов, С.А. Немов, В.Ф. Мастеров, П.П. Серегин. ФТТ, 41 (11), 1897 (1999)
  3. С.А. Немов, П.П. Серегин, Ю.В. Кожанова, Н.П. Серегин. ФТП, 37 (12), 1414 (2003)
  4. N.P. Seregin, P.P. Seregin, S.A. Nemov, A.Yu. Yanvareva. J. Phys.: Condens. Matter, 15, 7591 (2003)
  5. С.И. Бондаревский, В.В. Еремин, Н.П. Серегин. В кн.: Фундаментальные исследования в технических университетах. Матер. V Всеросс. конф. по проблемам науки и высшей школы (СПб., 2001) с. 121
  6. С.А. Немов, П.П. Серегин, С.М. Иркаев, Н.П. Серегин. ФТП, 37 (3), 279 (2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.