ФТП, 2005, том 39, выпуск 11

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Исследование электронного спектра структур с квантовыми точками InGaN с помощью спектроскопии фототока

Д.С.Сизов, В.С.Сизов, В.В.Лундин, А.Ф.Цацульников, Е.Е.Заварин, Н.Н.Леденцов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 14 февраля 2005 г. Принята к печати 1 марта 2005 г.)

С помощью спектроскопии фототока исследованы структуры с квантовыми точками InGaN/GaN. Динамический диапазон измерений составлял четыре порядка с сохранением отношения величины сигнала к уровню шума больше 10. В пределах погрешности измерений форма спектра не зависела от приложенного обратного внешнего смещения, в то время как спектр смещался в коротковолновую сторону, что объясняется влиянием эффекта Франца-Келдыша. Изменение температуры приводило к изменению формы спектра, причем этот эффект различен для структур, выращенных в различных режимах. Такое поведение может объясняться влиянием однородного уширения электронных состояний, статистикой носителей на уровнях квантовых точек, а также влиянием температуры на положение этих уровней.

 PDF версия (151Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster