ФТП, 2005, том 39, выпуск 11

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Фоточувствительность гетероструктур на мелкодисперсной фазе полупроводников

Ю.А.Николаев, В.Ю.Рудь*, Ю.В.Рудь, Е.И.Теруков, Т.Н.Ушакова

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Санкт-Петербургский государственный политехнический университет,
195251 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 9 июня 2003 г. Принята к печати 25 декабря 2004 г.)

Предложен и создан новый тип гетероструктур, основанных на прямом контакте объемного полупроводника со слоем диэлектрика с рассредоточенной в нем мелкодисперсной фазой полупроводника. На гетероструктурах из Si и GaAs обнаружено выпрямление и фотовольтаический эффект. Показано, что при освещении таких структур со стороны слоя диэлектрика с мелкодисперсной фазой полупроводника возникает широкополосный фотовольтаический эффект в глубине фундаментального поглощения объемного полупроводника.

 PDF версия (184Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster