ФТП, 2005, том 39, выпуск 11

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Чувствительность структур диэлектрик--полупроводник к нестационарным световым потокам

Н.Ф.Ковтонюк, В.П.Мисник, А.В.Соколов

Федеральное государственное унитарное предприятие \lower1pt<<Центральный научно-исследовательский институт \glqq Комета\grqq\lower1pt>>,
115280 Москва, Россия

(Получена 28 февраля 2005 г. Принята к печати 9 марта 2005 г.)

Рассмотрена кинетика электронных процессов в структурах металл--диэлектрик--полупроводник, в которых слой диэлектрика обладает небольшой проводимостью. При питании структуры постоянным напряжением в полупроводниковом слое возникает неравновесная обедненная область. Проанализированы условия, необходимые для формирования устойчивой обедненной области и для образования в ней фотоэлектрических сигналов. Приведены оценки длительности переходных процессов и параметров слоев структуры.

 PDF версия (100Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster