ФТП, 2005, том 39, выпуск 8

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Мощные биполярные приборы на основе карбида кремния
О б з о р

П.А.Иванов, М.Е.Левинштейн, Т.Т.Мнацаканов *, J.W.Palmour $, A.K.Agarwal $

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Всесоюзный электротехнический институт им. В.И. Ленина,
111250 Москва, Россия
$ Cree Inc.,
27703 Durham NC, USA

(Получен 1 декабря 2004 г. Принят к печати 29 декабря 2004 г.)

Рассмотрены высоковольтные биполярные приборы на основе 4H-SiC --- выпрямительные диоды, биполярные транзисторы и тиристоры. Приводятся результаты экспериментальных и теоретических исследований статических и динамических характеристик приборов. Проанализированы особенности их работы, обусловленные специфическими электронными свойствами карбида кремния и p-n-структур на его основе.

 PDF версия (764Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster