ФТП, 2005, том 39, выпуск 7

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Сегнетоэлектрический полевой транзистор на основе гетероструктуры Pb(ZrxTi1-x)O3 / SnO2

И.Е.Титков , И.П.Пронин, Д.В.Машовец, Л.А.Делимова, И.А.Линийчук, И.В.Грехов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 15 декабря 2004 г. Принята к печати 29 декабря 2004 г.)

Исследована возможность создания сегнетоэлектрического полевого транзистора на основе гетеропары Pb(ZrxTi1-x)O3/SnO2 (PZT / SnO2). В качестве канала полевого транзистора использовались легированные сурьмой эпитаксиальные пленки SnO2 / Al2O3, напыленные YAG-лазером из металлической мишени. Наибольшая подвижность электронов в пленках составляла 25 см2/(В·c) при концентрации 8·1019 см-3. Продемонстрирована возможность прямого роста пленок PZT на SnO2 методами магнетронного и лазерного напыления. Оба этих метода были использованы для изготовления конденсаторных структур Au / PZT / SnO2. При размере верхнего электрода 250x250 мкм емкости конденсаторных ячеек составили 1000 пФ при предельном напряжении 10 В, наибольшая остаточная поляризация --- 16 мкКл / см2. Получена транзисторная структура Au / PZT / SnO2 / Al2O3 с модуляцией проводимости 94%. Разница токов в канале при отрицательной и положительной остаточных поляризациях подзатворного сегнетоэлектрика составила 37%.

 PDF версия (365Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster