Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Сегнетоэлектрический полевой транзистор на основе гетероструктуры Pb(Zr_xTi_1-x)O₃ / SnO₂

Титков И.Е.¹, Пронин И.П.¹, Машовец Д.В.¹, Делимова Л.А.¹, Линийчук И.А.¹, Грехов И.В.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 15 декабря 2004 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2005 г.

PDF версия

Исследована возможность создания сегнетоэлектрического полевого транзистора на основе гетеропары Pb(Zr_xTi_1-x)O₃/SnO₂ (PZT / SnO₂). В качестве канала полевого транзистора использовались легированные сурьмой эпитаксиальные пленки SnO₂ / Al₂O₃, напыленные YAG-лазером из металлической мишени. Наибольшая подвижность электронов в пленках составляла 25 см²/(В·c) при концентрации 8·10¹⁹ см^-3. Продемонстрирована возможность прямого роста пленок PZT на SnO₂ методами магнетронного и лазерного напыления. Оба этих метода были использованы для изготовления конденсаторных структур Au / PZT / SnO₂. При размере верхнего электрода 250x250 мкм емкости конденсаторных ячеек составили 1000 пФ при предельном напряжении 10 В, наибольшая остаточная поляризация - 16 мкКл / см². Получена транзисторная структура Au / PZT / SnO₂ / Al₂O₃ с модуляцией проводимости 94%. Разница токов в канале при отрицательной и положительной остаточных поляризациях подзатворного сегнетоэлектрика составила 37%.

Shu-Yau Wu. IEEE Trans. Electron. Dev., Ed-21 (8), 499 (1974)
T. Nakamura, Y. Nakao, A. Kamisawa, H. Takasu. IEEE ISSCC (San Francisco, 1955) p. 68
H. Ishiwara, T. Shimamura, E. Tokumitsu. Jap. J. Appl. Phys., 36 (3B), 1655 (1997)
Yil Suk Yang, In-kyu You, Won Jae Lee, Byoung Gon Yu, Kyong-Ik Cho. J. Korean Phys. Soc., 40 (4), 701 (2002)
Ali Sheikholeslami, P. Glenn Gulak. Proc. IEEE, 88 (5), 667 (2000)
Y. Watanabe. Appl. Phys. Lett., 66 (14), 1770 (1995)
И.А. Веселовский, И.В. Грехов, Л.А. Делимова, И.А. Линийчук. Письма ЖТФ, 27 (1), 39 (2001)
I. Grekhov, L. Delimova, I. Liniichuk, D. Mashovets, I. Veselovsky. Integrated Ferroelectrics, 43, 175 (2002)
Dominguez-JE, Fu-L, Pan-XQ. Appl. Phys. Lett., 79 (5), 614 (2001)
Dominguez-JE, Fu-L, Pan-XQ. J. Appl. Phys., 86, 2001 (полный текст статьи доступен в Internet по адресу: 8.910 http://www.mse.engin.umich.edu/research/centers/caem/mrsec/ publications/SnO2 fPLD JAP0 1/SnO2 Epitaxy JAP01.pdf)
H.L.M. Chang, H. Zhang, Z. Shen, Q. Wang. J. Mater. Res., 9 (12), 3108 (1996)
M.W.J. Prins, S.E. Zinnemers, J.F.M. Cillessen, J.B. Giesbers. Appl. Phys. Lett., 70 (4), 458 (1997)
M.W.J. Prins, K.-O. Grosse-Holz, G. Muller, J.F.M. Cillessen, J.B. Giesbers, R.P. Weening, R.M. Wolf. Appl. Phys. Lett., 68 (25), 3650 (1996)
M.W.J. Prins, K.-O. Grosse-Holz, J.F.M. Cillessen, L.F. Feiner. J. Appl. Phys., 83 (2), 888 (1998)
Dominguez-JE, Fu-L, Pan-XQ. Appl. Phys. Lett., 8 (27), 5168 (2002)
W.P. Li, R. Zhang, J. Shen, Y.M. Liu, B. Shen, P. Chen, Y.G. Zhou, J. Li, X.L. Yuan, Z.Z. Chen, Y. Shi, Z.G. Liu, Y.D. Zheng. Appl. Phys. Lett. 77 (4), 24 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель