ФТП, 2005, том 39, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

4H-SiC p-i-n-диод, полученный совмещением сублимационной и газофазной эпитаксии

Е.В.Богданова , А.А.Волкова, А.Е.Черенков, А.А.Лебедев, Р.Д.Каканаков *,
Л.П.Колаклиева *, Г.А.Саров *, Т.М.Чолакова *, А.В.Кириллов +, Л.П.Романов +

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Институт прикладной физики,
4000 Пловдив, Болгария
+ \glqq Светлана--Электроприбор\grqq,
194156 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 25 октября 2004 г. Принята к печати 10 ноября 2004 г.)

Показана возможность получения сублимационной эпитаксией в вакууме сильно легированных (Na-Nd>=q 1· 1019 см-3) слоев p+-4H-SiC на основе выращенных методом CVD слабо легированных слоев n-4H-SiC. Показано, что оптимальным контактом к p-4H-SiC является контакт Au/Pd/Ti/Pd, который совмещает низкое удельное сопротивление (~ 2· 10-5 Ом·см2) с высокой термической стабильностью (до 700oC). На основе полученных p-n-структур были изготовлены корпусированные диоды с напряжением пробоя до 1400 В.

 PDF версия (246Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster