ФТП, 2005, том 39, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Термополевой прямой ток в поверхностно-барьерных структурах на основе GaN

Т.В.Бланк, Ю.А.Гольдберг, Е.Е.Заварин, О.В.Константинов, Н.М.Шмидт

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 2 августа 2004 г. Принята к печати 15 ноября 2004 г.)

Приводятся результаты экспериментальных исследований зависимостиемкости и прямого тока от напряжения и температуры для поверхностно-барьерных структур Ni--n-GaN. Экспериментальные результаты сравниваются с теорией термополевой эмиссии Падовани--Страттона. Установлено, что прямой ток поверхностно-барьерных структур Ni--n-GaN (концентрация электронов в GaN ~ 1017 см-3) в интервале температур 250-410 K обусловлен термополевой эмиссией электронов, имеющих энергию на ~0.1 эВ ниже вершины потенциального барьера.

 PDF версия (551Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster