"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Термополевой прямой ток в поверхностно-барьерных структурах на основе GaN
Бланк Т.В.1, Гольдберг Ю.А.1, Заварин Е.Е.1, Константинов О.В.1, Шмидт Н.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 2 августа 2004 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2005 г.

Приводятся результаты экспериментальных исследований зависимостиемкости и прямого тока от напряжения и температуры для поверхностно-барьерных структур Ni--n-GaN. Экспериментальные результаты сравниваются с теорией термополевой эмиссии Падовани--Страттона. Установлено, что прямой ток поверхностно-барьерных структур Ni--n-GaN (концентрация электронов в GaN ~ 1017 см-3) в интервале температур 250-410 K обусловлен термополевой эмиссией электронов, имеющих энергию на ~0.1 эВ ниже вершины потенциального барьера.
  1. Q. Chen, J.W. Yang, A. Osinsky, S. Gangopadhyay, B. Lim, M.Z. Anwar, M. Asif Khan, D. Kuksenkov, H. Temkin. Appl. Phys. Lett., 70, 2277 (1997)
  2. Necmi Biyikli, Tolga Kartaloglu, Orhan Aytur, Ibrahim Kimukin, Ekmel Ozbay. Appl. Phys. Lett., 79, 2838 (2001)
  3. Ching-Wu Wang. Appl. Phys. Lett., 80, 1568 (2002)
  4. E.V. Kalinina, N.I. Kuznetsov, A.I. Babanin, A.I. Dmitriev, A.V. Shchukarev. Diamond Relat. Mater., 6, 1528 (1997)
  5. Jong Kyu Kim, Jong-Lam Lee. J. Electrochem. Soc., 151, G190 (2004)
  6. J.D. Guo, M.S. Feng, R.J. Guo, F.M. Pan, C.Y. Chang. Appl. Phys. Lett., 67, 2657 (1995)
  7. E.J. Miller, E.T. Yu, P. Waltereit, J.S. Speck. Appl. Phys. Lett., 84, 535 (2004)
  8. Jihyun Kim, F. Ren, A.G. Baca, S.J. Pearton. Appl. Phys. Lett., 82, 3263 (2003)
  9. E.J. Miller, D.M. Schaadt, E.T. Yu, X.L. Sun, L.J. Brillson, P. Waltereit, J.S. Speck. J. Appl. Phys., 94, 7611 (2003)
  10. F.A. Padovani, R. Stratton. Sol. St. Electron., 9, 695 (1966)
  11. N.M. Shmidt, W.V. Lundin, A.V. Sakharov, A.S. Usikov, E.E. Zavarin, A.V. Govorkov, A.Ya. Polyakov, N.B. Smirnov. Proc. SPIE, 4340, 92 (2000)
  12. A.V. Ankudinov, A.I. Besyulkin, A.G. Kolmakov, W.V. Lundin, V.V. Ratnikov, N.M. Shmidt, A.A. Sitnikova, A.N. Titkov, A.S. Usikov, E.B. Yakimov, E.E. Zavarin, R.V. Zolotareva. Physica B, 340--342, 462 (2003)
  13. Properties of Advanced Semiconductor Materials, ed. by M. Levinshtein, S. Rumyantsev and M. Shur (N.Y., John Wiley and Sons, 2001)
  14. Q.Z. Liu, L.S. Yu, F. Deng, S.S. Lau, J.M. Redwing. J. Appl. Phys., 84, 881 (1998)
  15. T. Mori, T. Kozawa, T. Ohwaki, Y. Taga, S. Nagai, S. Yamasaki, S. Asami, N. Shibata, M. Koike. Appl. Phys. Lett., 69, 3537 (1996)
  16. M. Sawada, T. Sawada, Y. Yanagata, K. Imai, H. Kimura, M. Yoshino, K. Lizuka, H. Tomozawa. Proc. Second Int. Conf. Nitride Sem. (Tokushino, Japan, 1997) p. 706
  17. P. Hacke, T. Detchprohm, K. Hiramatsu, N. Sawaki. Appl. Phys. Lett., 63, 2676 (1993)
  18. Wei-Chih Lai, Meiso Yokoyama, Chun-Yung Chang, Jan-Dar Guo, Jian-Shihn Tsang, Shih-Hsiung Chan, Simon M. Sze. MRS Spring Meeting, Simp. Y-Wide-Bandgap Sem. for Hihg-Power., High-Freq., High-Temp. Application (San Francisco, California, USA, 1999) abstract Y5.8
  19. Э.Х. Родерик. Контакты металл--полупроводник (М., Радио и связь, 1982)
  20. Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг. ФТП, 37, 1025 (2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.