"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Термополевой прямой ток в поверхностно-барьерных структурах на основе GaN
Бланк Т.В.1, Гольдберг Ю.А.1, Заварин Е.Е.1, Константинов О.В.1, Шмидт Н.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 2 августа 2004 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2005 г.

Приводятся результаты экспериментальных исследований зависимостиемкости и прямого тока от напряжения и температуры для поверхностно-барьерных структур Ni--n-GaN. Экспериментальные результаты сравниваются с теорией термополевой эмиссии Падовани--Страттона. Установлено, что прямой ток поверхностно-барьерных структур Ni--n-GaN (концентрация электронов в GaN ~ 1017 см-3) в интервале температур 250-410 K обусловлен термополевой эмиссией электронов, имеющих энергию на ~0.1 эВ ниже вершины потенциального барьера.
  • Q. Chen, J.W. Yang, A. Osinsky, S. Gangopadhyay, B. Lim, M.Z. Anwar, M. Asif Khan, D. Kuksenkov, H. Temkin. Appl. Phys. Lett., 70, 2277 (1997)
  • Necmi Biyikli, Tolga Kartaloglu, Orhan Aytur, Ibrahim Kimukin, Ekmel Ozbay. Appl. Phys. Lett., 79, 2838 (2001)
  • Ching-Wu Wang. Appl. Phys. Lett., 80, 1568 (2002)
  • E.V. Kalinina, N.I. Kuznetsov, A.I. Babanin, A.I. Dmitriev, A.V. Shchukarev. Diamond Relat. Mater., 6, 1528 (1997)
  • Jong Kyu Kim, Jong-Lam Lee. J. Electrochem. Soc., 151, G190 (2004)
  • J.D. Guo, M.S. Feng, R.J. Guo, F.M. Pan, C.Y. Chang. Appl. Phys. Lett., 67, 2657 (1995)
  • E.J. Miller, E.T. Yu, P. Waltereit, J.S. Speck. Appl. Phys. Lett., 84, 535 (2004)
  • Jihyun Kim, F. Ren, A.G. Baca, S.J. Pearton. Appl. Phys. Lett., 82, 3263 (2003)
  • E.J. Miller, D.M. Schaadt, E.T. Yu, X.L. Sun, L.J. Brillson, P. Waltereit, J.S. Speck. J. Appl. Phys., 94, 7611 (2003)
  • F.A. Padovani, R. Stratton. Sol. St. Electron., 9, 695 (1966)
  • N.M. Shmidt, W.V. Lundin, A.V. Sakharov, A.S. Usikov, E.E. Zavarin, A.V. Govorkov, A.Ya. Polyakov, N.B. Smirnov. Proc. SPIE, 4340, 92 (2000)
  • A.V. Ankudinov, A.I. Besyulkin, A.G. Kolmakov, W.V. Lundin, V.V. Ratnikov, N.M. Shmidt, A.A. Sitnikova, A.N. Titkov, A.S. Usikov, E.B. Yakimov, E.E. Zavarin, R.V. Zolotareva. Physica B, 340--342, 462 (2003)
  • Properties of Advanced Semiconductor Materials, ed. by M. Levinshtein, S. Rumyantsev and M. Shur (N.Y., John Wiley and Sons, 2001)
  • Q.Z. Liu, L.S. Yu, F. Deng, S.S. Lau, J.M. Redwing. J. Appl. Phys., 84, 881 (1998)
  • T. Mori, T. Kozawa, T. Ohwaki, Y. Taga, S. Nagai, S. Yamasaki, S. Asami, N. Shibata, M. Koike. Appl. Phys. Lett., 69, 3537 (1996)
  • M. Sawada, T. Sawada, Y. Yanagata, K. Imai, H. Kimura, M. Yoshino, K. Lizuka, H. Tomozawa. Proc. Second Int. Conf. Nitride Sem. (Tokushino, Japan, 1997) p. 706
  • P. Hacke, T. Detchprohm, K. Hiramatsu, N. Sawaki. Appl. Phys. Lett., 63, 2676 (1993)
  • Wei-Chih Lai, Meiso Yokoyama, Chun-Yung Chang, Jan-Dar Guo, Jian-Shihn Tsang, Shih-Hsiung Chan, Simon M. Sze. MRS Spring Meeting, Simp. Y-Wide-Bandgap Sem. for Hihg-Power., High-Freq., High-Temp. Application (San Francisco, California, USA, 1999) abstract Y5.8
  • Э.Х. Родерик. Контакты металл--полупроводник (М., Радио и связь, 1982)
  • Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг. ФТП, 37, 1025 (2003)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.