-1 Исследовалось интенсивное пикосекундное стимулированное излучение из торца тонкого слоя GaAs. Излучение возникало при накачке GaAs мощными пикосекундными импульсами света. Обнаружена модуляция зависимостей энергии излучения от: а) энергии фотона, б) пикосекундной задержки между двумя импульсами накачки, в) расстояния между активной областью и торцом. Под модуляцией подразумевалось появление локальных выступов или максимумов на графике какой-либо зависимости. Параметры модуляции названных характеристик излучения оказались связаны соотношениями, позволяющими предполагать следующее. К модуляции характеристик приводит один общий, пока окончательно не установленный, механизм автомодуляции спектра излучения, обусловленный сверхбыстрым нелинейным взаимодействием сильно фотовозбужденного полупроводника со светом накачки и стимулированным излучением. По косвенным признакам этот механизм приводит еще и к амплитудной модуляции излучения в пикосекундном диапазоне времен.