ФТП, 2005, том 39, выпуск 5

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние одноосного сжатия на параметры фотопреобразования оптического контакта p-GaSe--n-InSe

С.И.Драпак , М.О.Воробец, З.Д.Ковалюк

Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича,
Черновицкое отделение Национальной академии наук Украины,
58001 Черновцы, Украина

(Получена 3 августа 2004 г. Принята к печати 9 сентября 2004 г.)

Исследовано влияние механического давления в направлении, перпендикулярном плоскости локализации границы раздела гетеропереходов n-InSe--p-GaSe, на изменение фотоэдс насыщения и тока короткого замыкания. Показано, что в оптических контактах InSe/GaSe, находящихся под воздействием давления P=35-40 кПа, наблюдается увеличение напряжения холостого хода почти в 2 раза и тока короткого замыкания более чем в 5 раз по сравнению с исходными образцами, что позволяет прогнозировать возможность увеличения кпд фотопреобразования таких структур до 15-16%.

 PDF версия (149Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster