ФТП, 2005, том 39, выпуск 5

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние температуры вакуумного отжига на край фундаментального поглощения и структурную релаксацию пленок a-SiC : H

А.В.Васин , А.В.Русавский, В.С.Лысенко, А.Н.Назаров, В.И.Кушниренко, С.П.Старик *, В.Г.Степанов

Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева
03026 Киев, Украина
* Институт сверхтвердых материалов им. В.Н. Бакуля,
04074 Киев, Украина

(Получена 23 августа 2004 г. Принята к печати 6 октября 2004 г.)

Представлены экспериментальные результаты исследования влияния температуры вакуумного отжига на свойства края фундаментального поглощения и реконструкцию ближнего порядка пленок аморфного гидрогенизированного карбида кремния a-SiC : H, полученных с помощью магнетронного распыления кремния в атмосфере Ar + CH4. Показано, что при низких температурах отжига (450oC) происходит перераспределение связанного водорода, определяемое обрывом кремний-водородных связей и захватом атомарного водорода на оборванные связи атомов углерода, что приводит к усилению видимой фотолюминесценции. При более высоких температурах отжига происходит обрыв углерод-водородных связей и кластеризация свободного углерода. Обосновывается, что центрами безызлучательной рекомбинации в пленках a-SiC : H в основном являются электронные состояния, обусловленные оборванными связями атомов углерода.

 PDF версия (271Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster