ФТП, 2005, том 39, выпуск 5

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Формирование кремниевых нанокристаллов в слоях SiO2 при имплантации ионов Si с промежуточными отжигами

Г.А.Качурин, В.А.Володин, Д.И.Тетельбаум *, Д.В.Марин, А.Ф.Лейер,
А.К.Гутаковский, А.Г.Черков, А.Н.Михайлов *

Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук,
630090 Новосибирск, Россия
* Нижегородский государственный университет,
603950 Нижний Новгород, Россия

(Получена 22 июня 2004 г. Принята к печати 6 октября 2004 г.)

Исследовано влияние отжигов при 1100oC на ионно-лучевой синтез нанокристаллов Si в слоях SiO2. При сохранении общей дозы 1017 см-2 и длительности термообработок ~2 ч отжиги проводились как однократно, так и после внедрения каждой половины или трети дозы. Обнаружено, что промежуточные отжиги приводят к длинноволновому сдвигу спектра рамановского рассеяния нанокристаллов и к коротковолному смещению спектра фотолюминесценции. Электронная микроскопия выявила снижение размеров нанопреципитатов, сопровождающееся исчезновением признаков кристалличности, однако фотолюминесценция оставалась типичной для нанокристаллов. Результаты объяснены преимущественным стоком атомов Si на вновь образующиеся кластеры, что согласуется с проведенным численным моделированием. Считается, что в фотолюминесценцию основной вклад вносят мелкие нанокристаллы, а рамановское рассеяние и электронная микроскопия регистрируют более крупные.

 PDF версия (221Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster