ФТП, 2005, том 39, выпуск 5

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Пороговый характер формирования наноразмерных островков в системе Ge/Si (100) в присутствии сурьмы

Г.Э.Цырлин , В.Г.Дубровский *, А.А.Тонких, Н.В.Сибирев, В.М.Устинов *, P.Werner $

Институт аналитического приборостроения Российской академии наук,
190103 Санкт-Петербург, Россия
* Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
$ Max-Planck Institut fur Mikrostrukturphysik, Weinberg 2,
D-06120 Halle, Germany

(Получена 14 сентября 2004 г. Принята к печати 29 сентября 2004 г.)

Методом атомно-силовой микроскопии проведено исследование поведения массива островков Ge, сформированных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности Si (100), в зависимости от потока сурьмы к поверхности. Показано, что при увеличении потока Sb до определенного уровня происходит увеличение поверхностной плотности островков, а по достижении его подавление нуклеации островков. При этом на поверхности наблюдаются мезоскопические кластеры Ge малой высоты. Качественное объяснение данного эффекта дается в рамках кинетической модели формирования островков в гетероэпитаксиальных системах, рассогласованных по параметру решетки.

 PDF версия (228Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster