ФТП, 2005, том 39, выпуск 5

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Генерационно-рекомбинационный механизм переноса заряда в тонкопленочном гетеропереходе CdS/CdTe

Л.А.Косяченко, X.Mathew *, В.В.Мотущук, В.М.Склярчук

Черновицкий национальный университет,
58012 Черновцы, Украина
* Centro de Investigacion en Energia-UNAM,
62580 Temixco, Morelos, Mexico

(Получена 7 сентября 2004 г. Принята к печати 6 октября 2004 г.)

Исследована гетероструктура n-CdS/p-CdTe, полученная последовательным выращиванием слоев CdS и CdTe методом электрохимического осаждения и сублимацией в закрытом объеме соответственно. Измеренные вольт-амперные характеристики интерпретируются в рамках модели генерации--рекомбинации Саа--Нойса--Шокли в обедненном слое диодной структуры. Достигнуто количественное совпадение теории с результатами эксперимента.

 PDF версия (173Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster