ФТП, 2005, том 39, выпуск 5

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Гетеропереходы p+-Si--n-CdF2

Н.Т.Баграев , Л.Е.Клячкин, А.М.Маляренко, А.И.Рыскин *, А.С.Щеулин *

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова,
199034 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 4 ноября 2004 г. Принята к печати 25 ноября 2004 г.)

Диффузия бора и газофазное осаждение слоев кремния используется для получения сверхмелких p+-n-переходов и гетероструктур p+-Si--n-CdF2 на поверхности кристаллов n-CdF2. Прямые ветви вольт-амперных характеристик p+-n-переходов и гетеропереходов p+-Si--n-CdF2 выявляют запрещенную зону CdF2, 7.8 эВ, а также позволяют идентифицировать строение валентной зоны кристаллов фторида кадмия. В условиях прямого смещения, приложенного к полученным гетеропереходам p+-Si--n-CdF2, впервые были зарегистрированы спектры электролюминесценции в видимом диапазоне длин волн.

 PDF версия (348Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster