"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Особенности формирования эпитаксиальных пленок на пористых подложках AIIIBV
Ситникова А.А.1, Бобыль А.В.1, Конников С.Г.1, Улин В.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 15 сентября 2004 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2005 г.

Получены пористые подложки GaAs (100) и (111) с наноструктурированным (~ 10 нм) рельефом поверхности, под который на глубине ~ (50-100) нм поры, ветвящиеся вдоль < 111>, образуют густую сеть с объемной плотностью ~ 60%. Проведено исследование поверхности подложки и структуры выращенных на них слоев GaSb. Обнаружено уменьшение на 22% несоответствия параметров решеток на границе GaSb/GaAs(пористый) по сравнению с GaSb/GaAs(монолит). Развиты представления о химических механизмах порообразования в кристаллах AIIIBV и установлена связь структуры пористых слоев с составами электролитов и условиями анодирования. Показано, что зависимость скорости роста слоя от величины упругой деформации решетки может служить фактором ускоренного зарастания пор и перехода к планарному росту.
  • S. Luryi, E. Suhir. Appl. Phys. Lett., 49, 140 (1986)
  • В.В. Мамутин, В.П. Улин, В.В. Третьяков, С.В. Иванов, С.Г. Конников, П.С. Копьев. Письма ЖТФ, 25 (1), 3 (1999) [V.V. Mamutin, V.P. Ulin, V.V. Tret'jakov, S.V. Ivanov, S.G. Konnikov, P.S. Kopev. Techn. Phys. Lett., 25 (1), 1 (1999)]
  • A. Atkinson, S.C. Jain, A.H. Harker. J. Appl. Phys., 77, 1907 (1995)
  • A. Fischer, H. Richter. J. Appl. Phys., 75, 657 (1994)
  • И.Н. Арсентьев, М.В. Байдакова, А.В. Бобыль, Л.С. Вавилова, С.Г. Конников, В.П. Улин, Н.С. Болтовец, Р.В. Конакова, В.В. Миленин, Д.И. Войциховский. Письма ЖТФ, 28 (17), 57 (2002). [I.N. Arsent'ev, M.V. Bajdakova, A.V. Bobyl', L.S. Vavilova, S.G. Konnikov, V.P. Ulin, N.S. Boltovez, R.V. Konakova, V.V. Milenin, D.I. Voitsikhovskii. Techn. Phys. Lett., 28 (9), 735 (2002)]
  • S. Guha, A. Madhukar, Li Chen. Appl. Phys. Lett., 56, 2304 (1990)
  • M. Mynbaeva, S.E. Saddow, G. Melnychuk, I. Nikitina, M. Scheglov, A. Sitnikova, N. Kurnetsov, K. Mymbaev, V. Dmitriev. Appl. Phys. Lett., 78, 117 (2001)
  • S. Jin, H. Bender, L. Stalmans, R. Bilyalov, J. Poortmans, R. Loo, M. Caymax. J. Cryst. Growth, 212, 119 (2000)
  • С.В. Булярский, В.И. Фистуль. Термодинамика и кинетика взаимодействующих дефектов в полупроводниках (М., Наука, 1997) гл. 6, с. 254
  • А.А. Чернов, Е.И. Гиваргизов, Х.С. Багдасаров, В.А. Кузнецов, Л.Н. Демьянец, А.Н. Лобачев. Современная кристаллография (М., Наука, 1980) т. 3, гл. 1, с. 85
  • A.V. Bobyl, M.E. Gaevskii, S.F. Karmanenko, R.N. Kutt, R.A. Suris, I.A. Khrebtov, A.D. Tkachenko, A.I. Morosov. J. Appl. Phys., 82, 1274 (1997)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.