| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Примесная фотопроводимость халькогенов в твердых растворах GeSi
Н.Б.Радчук, А.Ю.Ушаков
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет,
195251 Санкт-Петербург, Россия
(Получена 9 сентября 2004 г. Принята к печати 14 октября 2004 г.)
| Исследовано влияние добавки % кремния на энергетические спектры примесей теллура и селена в германии. Регистировались спектры фотопроводимости при температуре образцов 80 K, в спектральном диапазоне мкм. На фоне полосы примесной фотопроводимости наблюдались узкие пики возбужденных состояний ионов халькогенов. При данной концентрации кремния не наблюдалось перестройки спектра возбужденных состояний. Происходило увеличение энергетических зазоров между зоной проводимости и примесными состояниями халькогенов. |
| PDF версия (111Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2005, Коллектив авторов Разработано... webmaster |