ФТП, 2005, том 39, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Температурная зависимость эффективного коэффициента оже-рекомбинации в лазерах InAs/GaAs на квантовых точках с длиной волны излучения 1.3 мкм

И.И.Новиков , Н.Ю.Гордеев, М.В.Максимов, Ю.М.Шерняков, Е.С.Семенова,
А.П.Васильев, А.Е.Жуков, В.М.Устинов, Г.Г.Зегря

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 27 сентября 2004 г. Принята к печати 12 октября 2004 г.)

Проведено исследование полупроводниковых лазерных гетероструктур с 5 и 10 слоями квантовых точек InAs/GaAs, выращенных на подложках GaAs, с длиной волны излучения ~1.3 мкм. Из анализа эффективности спонтанной излучательной рекомбинации от тока и температуры получены зависимости безызлучательного времени жизни и эффективного оже-коэффициента в квантовых точках. Показано, что при низких температурах (ниже 200 K) в квантовых точках преобладает беспороговый канал оже-рекомбинации, в то время как при более высоких температурах доминирует квазипороговый канал. Оценки эффективного трехмерного оже-коэффициента, выполненные в приближении сферической квантовой точки, дают хорошее согласие с полученными экспериментальными результатами.

 PDF версия (188Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster