ФТП, 2005, том 39, выпуск 4
ФТП, 2005, том 39, выпуск 4
| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Влияние -легирования активной области на температурную стабильность характеристик лазеров на InAs/GaAs-квантовых точках
И.И.Новиков, Н.Ю.Гордеев, Л.Я.Карачинский, М.В.Максимов, Ю.М.Шерняков,
А.Р.Ковш, И.Л.Крестников, А.В.Кожухов, С.С.Михрин, Н.Н.Леденцов
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
NL Nanosemiconductor GmbH,
44227 Dortmund, Germany
(Получена 6 сентября 2004 г. Принята к печати 17 сентября 2004 г.)
| Проведено детальное исследование влияния легирования активной области длинноволновых лазеров на InAs--GaAs-квантовых точках акцепторной примесью на их характеристики. Показано, что увеличение степени легирования приводит к росту характеристической температуры и увеличению диапазона температурной стабильности пороговой плотности тока. В лазере со степенью легирования порядка акцепторов на одну плоскость квантовых точек продемонстрирована характеристическая температура 1200 K в диапазоне температур C, а также постоянное значение дифференциальной квантовой эффективности в диапазоне температур C. Для оптимизированной структуры максимальная достигнутая выходная мощность в непрерывном режиме составила 4.4 Вт. |
| PDF версия (407Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2005, Коллектив авторов Разработано... webmaster |