ФТП, 2005, том 39, выпуск 4: page 409...

ФТП, 2005, том 39, выпуск 4

Содержание	Предыдущая статья	Следующая статья	Поиск

Электрофизические и оптические свойства InAs, облученного электронами ( $~ 2$ МэВ): энергетическая структура собственных точечных дефектов

В.Н.Брудный, С.Н.Гриняев, Н.Г.Колин^*

Сибирский физико-технический институт им. В.Д. Кузнецова при Томском государственном университете,
634034 Томск, Россия
^* Филиал ФГУП \glqq Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова\grqq,
249033 Обнинск, Россия

(Получена 13 мая 2004 г. Принята к печати 9 августа 2004 г.)

Представлены результаты экспериментальных исследований электрофизических, оптических свойств и особенностей отжига (до 800

^oC) радиационных дефектов в кристаллах InAs

n

- и

p

-типа проводимости, облученных электронами с энергией

~ 2

МэВ интегральными потоками до

D=1

· 10¹⁹ см

^-2. Выполнены расчеты электронной структуры нерелаксированных дефектов

V

_As,

V

_In, As

_In и In

_As. Обсуждается связь электрофизических свойств и положения уровня Ферми в облученном InAs с электронной структурой собственных дефектов и особенностями зонного спектра полупроводника.

PDF версия (373Kb) Другие выпуски Другие журналы Помощь

Copyright (C) 2005, Коллектив авторов Разработано... webmaster