ФТП, 2005, том 39, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Неомическая проводимость и механизмы релаксации энергии 2D электронного газа в гетероструктурах GaAs/InGaAs/GaAs

А.А.Шерстобитов, Г.М.Миньков , О.Э.Рут, А.В.Германенко, Б.Н.Звонков *

Уральский государственный университет,
620083 Екатеринбург, Россия
* Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского,
603600 Нижний Новгород, Россия

(Получена 14 октября 2003 г. Принята к печати 17 мая 2004 г.)

Проведено исследование разогрева двумерного электронного газа в структурах GaAs/InGaAs/GaAs в диапазоне температур 0.4-4 K и концентраций (1.5-6)· 1015 м-2. Показано, что скорость релаксации энергии хорошо описывается теоретическими выражениями для релаксации энергии при рассеянии на деформационном и пьезоэлектрическом потенциале акустических фононов во всем исследованном диапазоне температур и концентраций. Показано, что используемые в большинстве работ аналитические выражения для скорости релаксации энергии, полученные для низко- и высокотемпературного режимов, работают только при строгом выполнении соотношения между квазиимпульсом Ферми и импульсом тепловых фононов. Показано, что скорость релаксации энергии немонотонно зависит от концентрации электронов. Так, при температуре решетки 1.4 K она возрастает при уменьшении концентрации электронов до n=2.5· 1015 м-2, а затем падает при дальнейшем уменьшении n.

 PDF версия (216Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster