ФТП, 2005, том 39, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Терагерцовая люминесценция гетероструктур на основе GaAs с квантовыми ямами при оптическом возбуждении доноров

Н.А.Бекин, Р.Х.Жукавин, К.А.Ковалевский, С.Г.Павлов, Б.Н.Звонков *, Е.А.Ускова *, В.Н.Шастин

Институт физики микроструктур Российской академии наук,
603950 Нижний Новгород, Россия
* Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета,
603600 Нижний Новгород, Россия

(Получена 1 июня 2004 г. Принята к печати 14 июня 2004 г.)

Исследовано спонтанное излучение селективно легированных гетероструктур GaAs/InGaAs : Si и GaAs/InGaAsP : Si в терагерцовом диапазоне частот (~ 3-3.5 ТГц) на переходах между состояниями двумерной подзоны и донорного центра (Si) при возбуждении излучением CO2-лазера и температуре жидкого гелия. Показана возможность создания инверсии населенности и усиления в активном слое до 100-300 см-1 в многослойных структурах с квантовыми ямами (50 периодов) с концентрацией легирующих центров ND~ 1011 см-2 при плотности потока возбуждения 1023 квант/см2· с.

 PDF версия (275Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster