ФТП, 2005, том 39, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Электролюминесцентные свойства гетероструктур с квантовыми ямами GaInNAs

А.В.Мурель, В.М.Данильцев, Ю.Н.Дроздов, Д.М.Гапонова, В.И.Шашкин, В.Б.Шмагин, О.И.Хрыкин

Институт физики микроструктур Российской академии наук,
603950 Нижний Новгород, Россия

(Получена 1 июня 2004 г. Принята к печати 14 июня 2004 г.)

Квантовые ямы GaInNAs выращивались методом металлорганической газофазной эпитаксии. Для улучшения оптических свойств с обеих сторон квантовой ямы встраивались барьеры GaNAs, компенсирующие упругие напряжения. Характеристики оптических переходов оценивались из измерений фотолюминесценции и фототока. Для изготовления светоизлучающих диодов использовались невплавные омические контакты на основе сильно легированных delta-слоев. Электролюминесценция наблюдалась на длине волны ~ 1.2 мкм при температурах 77 и 300 K, ее интенсивность зависела линейно от инжектирующего тока, выше некоторого порогового значения.

 PDF версия (253Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster