ФТП, 2005, том 39, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние промежуточного окисного слоя в гетероструктурах металл--квантово-размерный полупроводник In(Ga)As/GaAs на эффективность электролюминесценции

Н.В.Байдусь, П.Б.Демина, М.В.Дорохин, Б.Н.Звонков, Е.И.Малышева, Е.А.Ускова

Научно-исследовательский физико-технический институт
Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского,
603950 Нижний Новгород, Россия

(Получена 1 июня 2004 г. Принята к печати 14 июня 2004 г.)

Исследовано влияние различных способов обработки поверхности квантово-размерных гетероструктур GaAs/In(Ga)As/GaAs на эффективность электролюминесценции изготовленных на их основе диодов с барьером Шоттки. Установлено, что наибольший эффект увеличения интенсивности электролюминесценции наблюдается от экспонирования поверхности в CCl4 при температуре 580oC с последующим анодным окислением. Показано, что промежуточный туннельно-тонкий анодный окисел играет важную роль в обеспечении инжекции неосновных носителей из металла в арсенид галлия. Эффективность электролюминесценции существенно зависит от толщины анодного окисла.

 PDF версия (195Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster