ФТП, 2005, том 39, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Резонансное комбинационное рассеяние света и атомно-силовая микроскопия многослойных наноструктур InGaAs/GaAs
с квантовыми точками

М.Я.Валах , В.В.Стрельчук, А.Ф.Коломыс, Yu.I.Mazur *, Z.M.Wang *, M.Xiao *, G.J.Salamo *

Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины,
03028 Киев, Украина
* University of Arkansas, Departament of Physics,
72701 Arkansas, USA

(Получена 1 июня 2004 г. Принята к печати 16 июня 2004 г.)

Методами атомно-силовой микроскопии, фотолюминесценции и комбинационного рассеяния света исследован переход от двухмерного (2D) псевдоморфного роста к трехмерному (3D) (наноостровковому) в многослойных структурах InxGa1-xAs/GaAs, полученных молекулярно-лучевой эпитаксией. Номинальная концентрация In в InxGa1-xAs варьировалась от x=0.20 до 0.50. Толщина осаждаемых слоев InxGa1-xAs и GaAs составляли 14 и 70 монослоев соответственно. Показано, что при данных толщинах переход 2D--3D имеет место при x>= 0.27. Установлено, что формирование квантовых точек InxGa1-xAs (наноостровков) не сводится к классическому механизму Странского--Крастанова, а существенно модифицируется процессами вертикальной сегрегации атомов In и интердиффузии атомов Ga. В результате InxGa1-xAs может моделироваться 2D слоем с пониженной концентрацией In (x<0.20), переходящим в тонкий слой, включающий наноостровки, обогащенные In (x>0.60). Для многослойных сруктур InxGa1-xAs можно реализовать латеральное выстраивание квантовых точек в цепочки в направлении [ 110] и улучшение однородности их размеров.

 PDF версия (253Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster