"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Фотолюминесценция и комбинационное рассеяние света в пористом GaSb, сформированном ионной имплантацией
Данилов Ю.А.1, Бирюков А.А.1, Gon c alves J.L.2, Swart J.W.2, Iikawa F.3, Teschke O.3
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Centro de Componentes Semicondutores --- UNICAMP,-970 Campinas, SP, Brazil
3Instituto de Fi sica "Gleb Wataghin" --- UNICAMP,-970 Campinas, SP, Brazil
Поступила в редакцию: 1 июня 2004 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2004 г.

Формирование пористого слоя в ионно-имплантированном GaSb было изучено с помощью атомно-силовой микроскопии, фотолюминесценции и комбинационного рассеяния света. С накоплением дозы ионов на поверхности GaSb сначала формируется система бугорков, а потом --- пористый слой. Высота ступеньки на границе пористого слоя с необлученной областью может достигать значений 1 мкм. В ионно-имплантированном GaSb обнаружена широкая полоса фотолюминесценции между 1.1 и 1.65 эВ, интенсивность которой увеличивается с дозой ионов. В спектре комбинационного рассеяния света пористого GaSb обнаружены дополнительные линии 111 и 145 см-1, характерные для окисленного полупроводника. Представленные данные свидетельствуют, что пористый слой, сформированный имплантацией ионов в GaSb, обладает свойствами, характерными для нанокристаллических систем.
  • L.T. Canham. Appl. Phys. Lett., 57, 1046 (1990)
  • Y. Kanemitsu. Phys. Rep., 263, 1 (1995)
  • А.М. Данишевский, А.Ю. Рогачев, В.Б. Шуман, Е.Г. Гук. ФТП, 31, 1387 (1997)
  • T.L. Rutenhouse, P.W. Bohn, T.K. Hossain, I. Adesida, J. Lindesay, A. Marcus. J. Appl. Phys., 95, 490 (2004)
  • Д.Н. Горячев, О.М. Сресели. ФТП, 31, 1383 (1997)
  • Ю.Н. Бузынин, С.А. Гусев, Ю.Н. Дроздов, А.В. Мурель. ЖТФ, 70, 128 (2000)
  • Н.С. Аверкиев, Л.П. Казакова, Э.А. Лебедев, Ю.В. Рудь, А.Н. Смирнов, Н.Н. Смирнова. ФТП, 34, 757 (2000)
  • G. Su, Q. Guo, R.E. Palmer. J. Appl. Phys., 94, 7598 (2003)
  • Т.Н. Заварицкая, В.А. Караванский, А.В. Квит, Н.Н. Мельник. ФТП, 32, 235 (1998)
  • П.В. Павлов, Ю.А. Данилов, В.С. Туловчиков. ДАН СССР, 248, 1111 (1979)
  • R. Callec, P.N. Favennec, M. Salvi, H. L'Haridon, M. Gauneau. Appl. Phys. Lett., 59, 1872 (1991)
  • S.O. Kucheyev, J.S. Williams, C. Jagadish, J. Zou, V.S.J. Craig, G. Li. Appl. Phys. Lett., 77, 1455 (2000)
  • O. Teschke, D.M. Soares, L.A.O. Nunes. Appl. Phys. Lett., 70, 2840 (1997)
  • P.S. Dutta, H.L. Bhat, V. Kumar. J. Appl. Phys., 81, 5821 (1997)
  • S. Facsko, T. Dekorsy, C. Koerdt, C. Trappe, H. Kurz, A. Vogt, H.L. Hartnagel. Science, 285, 1551 (1999)
  • S.G. Kim, H. Asahi, M. Seta, J. Takizawa, S. Emura, R.K. Soni, S. Gonda, H. Tanoue. J. Appl. Phys., 74, 579 (1993)
  • Л.П. Авакянц, В.С. Горелик, Э.М. Темпер, С.М. Щербина. ФТТ, 41, 1495 (1999)
  • G. Allan, Y.M. Niquet, C. Delerue. Appl. Phys. Lett., 77, 639 (2000)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.