ФТП, 2005, том 39, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние параметров процесса МОГФЭ на свойства эпитаксиальных пленок GaInAsN

В.М.Данильцев, Д.М.Гапонова, М.Н.Дроздов, Ю.Н.Дроздов, А.В.Мурель,
Д.А.Пряхин, О.И.Хрыкин, В.И.Шашкин

Институт физики микроструктур Российской академии наук,
603950 Нижний Новгород, Россия

(Получена 1 июня 2004 г. Принята к печати 16 июня 2004 г.)

Эпитаксиальные слои GaInNAs были выращены методом металлорганической газофазной эпитаксии. Структура четверных сплавов изучалась методами рентгеновской дифракции и вторичной ионной масс-спектрометрии. Оптические свойства слоев изучались методами фотолюминесценции и фототоковых измерений. Были выращены слои GaInNAs, совпадающие по параметру решетки с GaAs. При расхождении параметров решетки менее чем 10-4 слои имели хорошую фотолюминесценцию, в то время как при большем несоответствии фотолюминесценция затухлала.

 PDF версия (144Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster