ФТП, 2004, том 38, выпуск 12

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние сероводорода на фотоэлектрические характеристики изотипных гетероструктур Al-n-Si-SnO2:Cu-Ag

С.В.Слободчиков , Е.В.Руссу, Э.В.Иванов, Ю.Г.Малинин, Х.М.Салихов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 12 мая 2004 г. Принята к печати 17 мая 2004 г.)

Исследованы электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур Al--n-Si--SnO2 : Cu--Ag. Установлено, что токоперенос в данной структуре обусловлен двойной инжекцией носителей заряда в диффузионном приближении. При экспонировании гетероструктуры в газовой смеси 1%-H2S/N2 наблюдался прирост величины фототока на 35%. На воздухе исходные значения фототока восстанавливались. Времена нарастания и спада фотосигнала сравнительно невелики --- 1 и 3 мин соответственно.

 PDF версия (141Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster