"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние сероводорода на фотоэлектрические характеристики изотипных гетероструктур Al-n-Si-SnO2:Cu-Ag
Слободчиков С.В.1, Руссу Е.В.1, Иванов Э.В.1, Малинин Ю.Г.1, Салихов Х.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 12 мая 2004 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2004 г.

Исследованы электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур Al--n-Si--SnO2 : Cu--Ag. Установлено, что токоперенос в данной структуре обусловлен двойной инжекцией носителей заряда в диффузионном приближении. При экспонировании гетероструктуры в газовой смеси 1%-H2S/N2 наблюдался прирост величины фототока на 35%. На воздухе исходные значения фототока восстанавливались. Времена нарастания и спада фотосигнала сравнительно невелики --- 1 и 3 мин соответственно.
  1. W. Gopel. Progr. Surf. Sci., 20, 9 (1985)
  2. Solid State Gas Sensors, ed. by P.T. Moseley, B.C. Tofield (Bristol--Philadelphia, Hilger, 1987) p. 51
  3. С.В. Слободчиков, Е.В. Руссу, Э.В. Иванов, Ю.Г. Малинин, Х.М. Салихов. ФТП, 38 (10), 1234 (2004)
  4. Э.И. Адирович, П.М. Карагеоргий-Алкалаев, А.Ю. Лейдерман. В кн.: Токи двойной инжекции в полупроводниках, под ред. Е.И. Гальперина (М., Сов. радио, 1978) гл. 2, с. 55
  5. М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973) гл. 13, с. 289
  6. Г.Г. Ковалевская, Л. Кратена, М.М. Мередов, А.М. Маринова, С.В. Слободчиков. Письма ЖТФ, 15 (12), 55 (1989)
  7. Б.А. Акимов, А.В. Албул, А.М. Гаськов, В.Ю. Ильин, М. Лабо, М.Н. Румянцева, Л.И. Рябова. ФТП, 31 (4), 400 (1997).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.