ФТП, 2004, том 38, выпуск 11

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Электронный магнетотранспорт в связанных квантовых ямах с двухсторонним легированием

Г.Б.Галиев, В.Э.Каминский , И.С.Васильевский *, В.А.Кульбачинский *, Р.А.Лунин *

Институт СВЧ полупроводниковой электроники Российской академии наук,
117105 Москва, Россия
* Московский государственный университет,
119992 Москва, Россия

(Получена 16 февраля 2004 г. Принята к печати 23 марта 2004 г.)

Исследовано магнетосопротивление в слабых магнитных полях структур AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs с двойными квантовыми ямами, разделенными тонким центральным барьером AlAs. Проведен стравнительный анализ точности описания наблюдающегося отрицательного магнетосопротивления по теории слабой локализации и в рамках кинетического подхода с помощью матрицы плотности. Показано, что кинетический подход в ряде случаев позволяет точнее описать экспериментальные зависимости.

 PDF версия (178Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster