ФТП, 2004, том 38, выпуск 11

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Гетероструктуры AlGaN/GaN с высокой подвижностью электронов, выращенные методом газофазной эпитаксии
из металлорганических соединений

В.В.Лундин, Е.Е.Заварин, А.И.Бесюлькин, А.Г.Гладышев, А.В.Сахаров, М.Ф.Кокорев*, Н.М.Шмидт,
А.Ф.Цацульников, Н.Н.Леденцов, Ж.И.Алферов, Р.Каканаков+

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет им. В.И. Ульянова (Ленина),
Санкт-Петербург, Россия
+ Институт прикладной физики Болгарской академии наук,
Пловдив, Болгария

(Получена 10 марта 2004 г. Принята к печати 16 марта 2004 г.)

Исследованы особенности газофазной эпитаксии из металлорганических соединений гетероструктур AlGaN/GaN. Получены структуры с двумерным электронным газом с подвижностью 1290 см2/(В · с) и концентрацией в канале 1.2· 1013 см-2 (при комнатной температуре). Рассмотрено влияние чистоты исходных компонентов на параметры полученных слоев и гетероструктур.

 PDF версия (183Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster