ФТП, 2004, том 38, выпуск 11

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Влияние протонного облучения на кинетику затухания фосфоресценции керамики ZnS-Cu

Т.А.Кучакова , Г.В.Весна, В.А.Макара

Киевский национальный университет им. Т. Шевченко (Физический факультет),
03608 Киев, Украина

(Получена 1 марта 2004 г. Принята к печати 23 марта 2004 г.)

Рассмотрены результаты исследования дозовых зависимостей кривых затухания фосфоресценции при рентгеновском возбуждении люминесцентной керамики ZnS-Cu до и после облучения протонами с энергией 50 МэВ. Экспериментально обнаружено аномальное изменение показателя гиперболы кривых фосфоресценции при увеличении величины накопленной светосуммы. На основе анализа полученных данных установлено, что в затухании участвуют два процесса: мономолекулярный, характеризующийся кинетикой 1-го порядка, и бимолекулярный механизм, которому отвечает кинетика 2-го порядка. На центрах безызлучательной рекомбинации, индуцированных протонным облучением, происходят переходы носителей, делокализовавшихся с ловушек, рекомбинация которых на центрах свечения в процессе затухания описывается кинетикой 2-го порядка.

 PDF версия (159Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster