Примесные центры редкоземельных ионов (Eu, Sm, Er) в вюрцитных кристаллах GaN
Криволапчук В.В.1, Кожанова Ю.В.2, Лундин В.В.1, Мездрогина М.М.1, Родин С.Н.1, Юсупова Ш.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 16 февраля 2004 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2004 г.
Легирование нитрида галлия (GaN) примесями Eu, Sm, Er производилось с помощью метода диффузии. Поведение редкоземельных примесей (образование донорных или акцепторных уровней в запрещенной зоне GaN) коррелирует с суммарной концентрацией дефектов, определяемых оптическими методами измерений, положением уровня Ферми в исходных и легированных кристаллах. Интенсивность линий излучения, характерных для внутрицентровых f-1pt-0.5ptf-переходов редкоземельных ионов, определяется суммарной концентрацией дефектов в исходной полупроводниковой матрице.
- A.J. Steckel, R. Birkhahn. Appl Phys. Lett., 73, 1700 (1998)
- A.J. Steckel, M. Garter, R. Birkhahn, J.D. Scofield. Appl. Phys. Lett., 73, 2450 (1998)
- S. Kim, S.J. Rhee, D.A. Turnbull. Appl. Phys. Lett., 71, 2662 (1997)
- A.J. Neuhalfen, B.W. Wessels. Appl. Phys. Lett., 60, 2572 (1992)
- М.М. Мездрогина, Е.И. Теруков, Н.П. Серегин, П.П. Серегин, И.Н. Трапезникова, Ф.С. Насрединов. ФТП, 36, 1252 (2002)
- В.В. Криволавчук, М.М. Мездрогина, С.Д. Раевский, А.П. Скворцов, Ш.А. Юсупова. Письма ЖТФ, 28, 19 (2002)
- S. Kim, R.L. Henry, A.E. Wicken, D.E. Koleske, S.J. Rhee, J.O. White. J. Appl. Phys., 90, 252 (2001)
- В.В. Криволапчук, М.М. Мездрогина, А.В. Насонов, С.Н. Родин. ФТТ, 45, 1556 (2003)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
