Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Примесные центры редкоземельных ионов (Eu, Sm, Er) в вюрцитных кристаллах GaN

Криволапчук В.В.¹, Кожанова Ю.В.², Лундин В.В.¹, Мездрогина М.М.¹, Родин С.Н.¹, Юсупова Ш.А.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 16 февраля 2004 г.

Выставление онлайн: 20 октября 2004 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Легирование нитрида галлия (GaN) примесями Eu, Sm, Er производилось с помощью метода диффузии. Поведение редкоземельных примесей (образование донорных или акцепторных уровней в запрещенной зоне GaN) коррелирует с суммарной концентрацией дефектов, определяемых оптическими методами измерений, положением уровня Ферми в исходных и легированных кристаллах. Интенсивность линий излучения, характерных для внутрицентровых f-1pt-0.5ptf-переходов редкоземельных ионов, определяется суммарной концентрацией дефектов в исходной полупроводниковой матрице.

A.J. Steckel, R. Birkhahn. Appl Phys. Lett., 73, 1700 (1998)
A.J. Steckel, M. Garter, R. Birkhahn, J.D. Scofield. Appl. Phys. Lett., 73, 2450 (1998)
S. Kim, S.J. Rhee, D.A. Turnbull. Appl. Phys. Lett., 71, 2662 (1997)
A.J. Neuhalfen, B.W. Wessels. Appl. Phys. Lett., 60, 2572 (1992)
М.М. Мездрогина, Е.И. Теруков, Н.П. Серегин, П.П. Серегин, И.Н. Трапезникова, Ф.С. Насрединов. ФТП, 36, 1252 (2002)
В.В. Криволавчук, М.М. Мездрогина, С.Д. Раевский, А.П. Скворцов, Ш.А. Юсупова. Письма ЖТФ, 28, 19 (2002)
S. Kim, R.L. Henry, A.E. Wicken, D.E. Koleske, S.J. Rhee, J.O. White. J. Appl. Phys., 90, 252 (2001)
В.В. Криволапчук, М.М. Мездрогина, А.В. Насонов, С.Н. Родин. ФТТ, 45, 1556 (2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель