ФТП, 2004, том 38, выпуск 11

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Механизм низкотемпературных стимулированных процессов плазменного анодирования металлов и полупроводников

А.П.Бибилашвили , А.Б.Герасимов

Тбилисский государственный университет им. И. Джавахишвили,
0128 Тбилиси, Грузия

(Получена 30 марта 2004 г. Принята к печати 11 мая 2004 г.)

Предложен механизм стимулирования низкотемпературного плазменного анодирования с использованием катализатора или ультафиолетового облучения при получении оксидных пленок металлов и полупроводников. Стимулирующее действие этих воздействий на процесс плазменного анодирования объясняется появлением дополнительной концентрации антисвязывающих квазичастиц (электронов и дырок), ослабляющих химические связи анодируемого вещества. Приводятся условия проведения стимулированных процессов.

 PDF версия (102Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster