ФТП, 2004, том 38, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Сверхвысокочастотные полевые транзисторы на основе нитридов III группы

С.Б.Александров, Д.А.Баранов, А.П.Кайдаш, Д.М.Красовицкий, М.В.Павленко,
С.И.Петров , Ю.В.Погорельский, И.А.Соколов, М.В.Степанов, В.П.Чалый,
Н.Б.Гладышева *, А.А.Дорофеев *, Ю.А.Матвеев *, А.А.Чернявский *

ЗАО \glqq Научное и технологическое оборудование\grqq,
194156 Санкт-Петербург, Россия
* Государственное унитарное предприятие \glqq Пульсар\grqq,
105187 Москва, Россия

(Получена 4 февраля 2004 г. Принята к печати 17 марта 2004 г.)

Обсуждаются концепция конструирования и основные свойства экспериментальных двойных гетероструктур AlGaN / GaN / AlGaN с двумерным электронным каналом, полученных методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках сапфира. Разработаны основы постростовой технологии полевых сверхвысокочастотных транзисторов на основе нитридов III группы, включающие в себя формирование меза-изоляции и цикл изготовления омических контактов и барьера Шоттки. Первые полевые транзисторы, изготовленные из указанных гетероструктур, имеют полный набор статических характеристик и демонстрируют работоспособность в режиме малых сверхвысокочастотных сигналов на частоте 8.15 ГГц.

 PDF версия (179Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster