ФТП, 2004, том 38, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Оптические и электрические свойства 4H-SiC, облученного нейтронами и тяжелыми ионами высоких энергий

Е.В.Калинина, Г.Ф.Холуянов, Г.А.Онушкин, Д.В.Давыдов, А.М.Стрельчук,
А.О.Константинов +, A.Hallen *, А.Ю.Никифоров $, В.А.Скуратов \#, K.Havancsak

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
+ ACREO AB, Electrum 236,
SE 164 40 Kista, Sweden
*Royal Institute of Technology Department of Electronics, Electrum 229,
SE 164 40 Kista, Sweden
$ Специализированные электронные системы,
115409 Москва, Россия
\#Объединенный институт ядерных исследований,
141980 Дубна, Россия
Eotvos University, Pazmany P. setany 1/A,
H-1117 Budapest, Hungary

(Поступила 1 марта 2004 г. Принята к печати 23 марта 2004 г.)

Методами фотолюминесценции и спектроскопии глубоких уровней исследовалось влияние облучения быстрыми нейтронами, ионами Kr (235 МэВ) и Bi (710 МэВ) на оптические и электрические свойства высокоомных чистых эпитаксиальных слоев 4H-SiC n-типа проводимости, выращенных методом газотранспортной эпитаксии. Электрические характеристики изучались с помощью барьерных структур на основе этих эпитаксиальных слоев: барьеров Шоттки с контактами Al и Cr, а также p+-n-n+-диодов, полученных ионной имплантацией Al. Согласно полученным экспериментальным данным, нейтроны и высокоэнергетические ионы вызывают образование в 4H-SiC идентичных дефектных центров. Результаты показывают, что даже при экстремально высоких значениях плотности ионизации 34 кэВ/нм, характерных для ионов Bi, формирование дефектной структуры в монокристаллах SiC определяется потерями энергии частиц на упругое рассеяние.

 PDF версия (261Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster