ФТП, 2004, том 38, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Электронные и структурные переходы в сплавах Pb1-xGexTe : Ga под давлением

Е.П.Скипетров , Е.А.Зверева, О.С.Волкова +, А.В.Голубев +, А.Ю.Моллаев *,
Р.К.Арсланов *, В.Е.Слынько =/=

Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет),
119992 Москва, Россия
+ Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (факультет наук о материалах),
119992 Москва, Россия
* Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук,
367003 Махачкала, Россия
=/= Институт проблем материаловедения Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение,
274001 Черновцы, Украина

(Получена 24 февраля 2004 г. Принята к печати 26 февраля 2004 г.)

Исследовано влияние давления на электрофизические свойства сплавов n-Pb1-xGexTe (x=0.06, 0.08), легированных галлием. Получена зависимость энергии активации глубокого примесного уровня галлия от давления, и показано, что его положение относительно дна зоны проводимости практически не изменяется под давлением. На температурных и барических зависимостях удельного сопротивления обнаружены аномалии, связанные, по-видимому, со структурными фазовыми переходами из кубической в ромбоэдрическую и орторомбическую фазы соответственно. Полученные результаты использованы для построения диаграммы перестройки энергетического спектра носителей заряда в кубической фазе исследованных сплавов под действием давления.

 PDF версия (178Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster