ФТП, 2004, том 38, выпуск 7

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Исследование утечек по поверхности фотодиодов на CdHgTe

П.В.Бирюлин, В.И.Туринов, Е.Б.Якимов*

Научно-производственное предприятие \glqq Исток\grqq,
141190 Фрязино, Россия
* Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук,
142432 Черноголовка, Россия

(Получена 21 августа 2003 г. Принята к печати 24 декабря 2003 г.)

Исследован ток утечки Ip по поверхности фотодиодов из CdxHg1-xTe с граничной длиной волны спектра фоточувствительности lambdaco=9.8-11.6 мкм, изготовленных имплантацией ионов Zn++ в твердый раствор p-типа проводимости. На поверхностный характер тока Ip указывает координатный сдвиг пика на профиле чувствительности n+-p-переходов, измеряемом в режиме сканирования лучом лазера на CO2 (длина волны 10.6 мкм), при увеличении напряжения U на фотодиоде, а также смещение спектральных характеристик в коротковолновую область при увеличении U.

 PDF версия (381Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster