Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование утечек по поверхности фотодиодов на CdHgTe

Бирюлин П.В.¹, Туринов В.И.¹, Якимов Е.Б.²

¹Научно-производственное предприятие "Исток", Фрязино, Россия
²Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia

Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia

Поступила в редакцию: 21 августа 2003 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2004 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследован ток утечки I_p по поверхности фотодиодов из Cd_xHg_1-xTe с граничной длиной волны спектра фоточувствительности lambda_co=9.8-11.6 мкм, изготовленных имплантацией ионов Zn⁺⁺ в твердый раствор p-типа проводимости. На поверхностный характер тока I_p указывает координатный сдвиг пика на профиле чувствительности n⁺-p-переходов, измеряемом в режиме сканирования лучом лазера на CO₂ (длина волны 10.6 мкм), при увеличении напряжения U на фотодиоде, а также смещение спектральных характеристик в коротковолновую область при увеличении U.

R.E. DeWames, G.M. Williams, J.G. Pasko, A.H.B. Vanderwyck. J. Cryst. Growth, 86, 849 (1988)
А.И. Елизаров, В.И. Иванов-Омский, А.А. Корнияш, В.А. Петряков. ФТП, 18, 201 (1984)
M.C. Chen. Appl. Phys. Lett., 51, 1836 (1987)
S.E. Schachm, E. Finkman. Opt. Eng., 29, 795 (1990)
М.Г. Андрухив, С.В. Белотелов, И.С. Вирт. ФТП, 27, 1863 (1993)
W. Shockley. Bell Syst. Techn. J., 28, 435 (1949)
S.T. Sah, R.N. Noyce, W. Shockley. Proc. IRE, 45, 1228 (1957)
В.И. Туринов. Электрон. техн., сер. 11, Лазерная техника и оптоэлектроника, 1, 88 (1984)
J.C. Inkson. Sol. St. Electon., 13, 1167 (1970)
M. Cutler, H.M. Bath. Proc. IRE, 45, 39 (1957)
H. Statz, G.A. De Mars, H. Devis, A. Adams. Phys. Rev., 101, 1272 (1956)
В.И. Туринов. Электрон. техн., сер. 1, СВЧ электроника, 2, 14 (1992)
S.P. Tobin, S. Iwasa, T.J. Tredwell. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-27, 43 (1980)
Е.Б. Якимов. Изв. РАН. Сер. физ., 56, 31 (1992)
В.И. Туринов. Электрон. техн., сер. 1, СВЧ электроника, 8, 3 (1990)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель