Вышедшие номера
Исследование утечек по поверхности фотодиодов на CdHgTe
Бирюлин П.В.1, Туринов В.И.1, Якимов Е.Б.2
1Научно-производственное предприятие "Исток", Фрязино, Россия
2Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
Поступила в редакцию: 21 августа 2003 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2004 г.

Исследован ток утечки Ip по поверхности фотодиодов из CdxHg1-xTe с граничной длиной волны спектра фоточувствительности lambdaco=9.8-11.6 мкм, изготовленных имплантацией ионов Zn++ в твердый раствор p-типа проводимости. На поверхностный характер тока Ip указывает координатный сдвиг пика на профиле чувствительности n+-p-переходов, измеряемом в режиме сканирования лучом лазера на CO2 (длина волны 10.6 мкм), при увеличении напряжения U на фотодиоде, а также смещение спектральных характеристик в коротковолновую область при увеличении U.