ФТП, 2004, том 38, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Мощные лазеры на квантовых точках InAs--InGaAs спектрального диапазона 1.5 мкм, выращенные на подложках GaAs

М.В.Максимов , Ю.М.Шерняков, Н.В.Крыжановская, А.Г.Гладышев, Ю.Г.Мусихин,
Н.Н.Леденцов, А.Е.Жуков, А.П.Васильев, А.Р.Ковш, С.С.Михрин,
Е.С.Семенова, Н.А.Малеев, Е.В.Никитина, В.М.Устинов, Ж.И.Алферов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 26 ноября 2003 г. Принята к печати 27 ноября 2003 г.)

Исследованы ватт-амперные, температурные и спектральные характеристики длинноволновых (1.46-1.5 мкм) лазеров, выращенных на подложках GaAs, с активной областью на основе квантовых точек InAs--InGaAs. Для достижения требуемой длины волны квантовые точки формировались на метаморфном буферном слое InGaAs с содержанием индия около 20%. Максимальная выходная мощность лазеров составила 7 Вт в импульсном режиме при комнатной температуре. Дифференциальная эффективность прибора с длиной резонатора 1.5 мм составила 50%. Температурная зависимость пороговой плотности тока в диапазоне 10-73oC описывается характеристической температурой 61 K.

 PDF версия (278Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster