Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Температурные электролюминесцентные исследования излучательных характеристик инжекционных лазеров на основе InGaAsN/GaAs
Карачинский Л.Я.1, Гордеев Н.Ю.1, Новиков И.И.1, Максимов М.В.1, Ковш А.Р.1,2, Wang J.S.2, Hsiao R.S.2, Chi J.Y.2, Устинов В.М.1, Леденцов Н.Н.1,3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Индустриально-технологический исследовательский институт, 310 Ксинчу, Тайвань, Китайская Республика
3Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat Berlin, Berlin, Germany
2Индустриально-технологический исследовательский институт, 310 Ксинчу, Тайвань, Китайская Республика
3Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat Berlin, Berlin, Germany
Поступила в редакцию: 19 ноября 2003 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2004 г.
Проведены исследования мощностных, спектральных и пространственных характеристик излучения инжекционных лазеров с активной областью на основе твердого раствора InGaAsN, выращенных на подложкх GaAs. Исследования проводились в широком диапазоне температур (77-300 K) при различных плотностях тока накачки. Показано, что увеличение содержания азота в твердом растворе InGaAsN может приводить к модификации структуры квантовой ямы, выражающейся в спонтанном формировании нанокластеров InGaAsN. Эти изменения приводят к возникновению N-образной температурной зависимости пороговой плотности тока и дифференциальной ватт-амперной эффективности.
- M. Kondow, K. Uomi, A. Niwa, T. Kitatani, S. Watahiki, Y. Yazawa. Jap. J. Appl. Phys., 35, 1273 (1996)
- A.Yu. Egorov, D. Bernklau, D. Livshits, V. Ustinov, Zh.I. Alferov, H. Riechert. Electron. Lett., 35, 1643 (1999)
- C.W. Coldren, M.C. Larson, S.G. Spruytte, J.S. Harris. Electron. Lett., 36, 951 (2000)
- M. Fischer, M. Reinhardt, A. Forchel. Electron. Lett., 36, 1208 (2000)
- J.S. Harris. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 1145 (2000)
- G. Steinle, H. Riechert, A.Yu. Egorov. Electron. Lett., 37, 93 (2001)
- В.А. Одноблюдов, А.Ю. Егоров, А.Р. Ковш, В.В. Мамутин, Е.В. Никитина, Ю.М. Шерняков, М.В. Максимов, В.М. Устинов. Письма ЖТФ, 29, 77 (2003)
- H. Temkin, D. Coblentz, R.A. Logan, J.P. van der Ziel, T. Tanbun-Ek, R.D. Yadvish, A.M. Sergent. Appl. Phys. Lett., 62, 2402 (1993)
- M. Yano, H. Nishi, M. Tukusagawa. J. Appl. Phys., 52, 3172 (1981)
- H. Ishikawa, I. Suemune. IEEE Phot. Techn. Lett., 6, 344 (1994)
- N.Yu. Gordeev, A.M. Georgievski, V.I. Kopchatov, S.V. Zaitsev, A.Yu. Egorov, A.R. Kovsh, V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, P.S. Kop'ev. Proc. Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology (St. Petersburg, Russia, 1997) p. 183
- И.И. Новиков, М.В. Максимов, Ю.М. Шерняков, Н.Ю. Гордеев, А.Р. Ковш, А.Е. Жуков, С.С. Михрин, Н.А. Малеев, А.П. Васильев, В.М. Устинов, Ж.И. Алфёров, Н.Н. Леденцов, Д. Бимберг. ФТП, 37, 270 (2003)
- L.V. Asryan, R.A. Suris. Semicond. Sci. Technol., 11, 554 (1996)
- B.M. Volovik, A.R. Kovsh, W. Passenberg, H. Kuenzel, N. Grote, N.A. Cherkashin, Yu.G. Musikhin, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, V.M. Ustinov. Semicond. Sci. Technol., 16, 186 (2001)
- Н.Ю. Гордеев, С.В. Зайцев, В.И. Копчатов, Л.Я. Карачинский, И.И. Новиков, В.М. Устинов, П.С. Копьев, Письма ЖТФ, 26, 78 (2000).
- M.V. Maximov, N.N. Ledentsov, V.M. Ustinov, Zh.I. Alferov, D. Bimderg. J. Electron. Mater., 29, 476 (2000)
- A. Markus, J.X. Chen, C. Paranthonen, A. Fiore, C. Platz, O. Gauthier-Lafaye. Appl. Phys. Lett., 82, 1818 (2003)
- A. Polimeni, M. Capizzi, M. Geddo, M. Fischer, M. Reinhardt, A. Forchel. Appl. Phys. Lett., 77, 2870 (2000)
- R.A. Mair, J.Y. Lin, H.X. Jiang, D.E. Jones, A.A. Allerman, S.R. Kurtz. Appl. Phys. Lett., 76, 188 (2000)
- S. Shirakata, M. Kondow, T. Kitatani. Appl. Phys. Lett., 80, 2087 (2002).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
