ФТП, 2004, том 38, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Мягкий пробой как причина спада тока в туннельной МОП структуре

А.Ф.Шулекин , С.Э.Тягинов, R.Khlil *, A.El Hdiy *, М.И.Векслер

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
* LASSI/DTI, CNRS-UMR 6107, UFR Sciences BP 1039,
F-51687, Reims cedex 2, France

(Получена 10 ноября 2003 г. Принята к печати 11 ноября 2003 г.)

Изучено влияние электрического стресса на вольт-амперные характеристики МОП диодов Al/SiO2/p+-Si с туннельно-тонким диэлектриком (2.5-3.0 нм). Проведены испытания образцов при постоянном токе и при постоянном напряжении. В процессе стресса при постоянном напряжении, наряду с увеличением тока, связанным с мягким пробоем, в некоторых случаях отмечено скачкообразное уменьшение тока. Подобный срыв тока имеет место преимущественно при высоких напряжениях и может быть обусловлен специфическим проявлением мягкого пробоя. При сильной пространственной дисперсии толщины SiO2 данный эффект играет существенную роль, даже если пробой локализован в достаточно малой области.

 PDF версия (293Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster