Сообщается о создании кристаллов на основе GaSb в виде ступенчатой пирамиды со сглаженными ступенями для изготовления светодиодов, в которых коротковолновая полоса излучения двухзарядного природного акцептора трансформируется в длинноволновую без потери количества излучаемых фотонов. Экспериментально и теоретически показано, что увеличение отношения площади светодиодного кристалла к его объему увеличивает внешний квантовый выход фотонов и достигнута его величина 5.1% для природного акцептора в GaSb.