ФТП, 2004, том 38, выпуск 6

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Спектроскопия экситонных состояний квантовых молекул InAs

В.Г.Талалаев *+=/=, J.W.Tomm +, N.D.Zakharov =/=, P.Werner =/=, Б.В.Новиков *, Г.Э.Цырлин =/=\land,
Ю.Б.Самсоненко \land, А.А.Тонких =/=\land, В.А.Егоров \land, Н.К.Поляков \land, В.М.Устинов \land

* Институт физики им. В.А. Фока, Санкт-Петербургский государственный университет,
198504 Петродворец, Россия
+ Max-Born-Institut fur Nichtlineare Optik und Kurzzeitspektroskopie,
12489 Berlin, Germany
=/= Max-Planck-Institut fur Mikrostrukturphysik,
06120 Halle (Saale), Germany
\land Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
194021 Санкт-Петербург, Россия
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук,
198103 Санкт-Петербург, Россия

(Получена 27 октября 2003 г. Принята к печати 4 ноября 2003 г.)

Методом молекулярно-пучковой эпитаксии синтезированы туннельно-связанные пары квантовых точек (квантовые молекулы) InAs в матрице GaAs. Проведено исследование структурных и оптических свойств полученных квантовых молекул. Обнаружены четыре экситонных состояния молекул, формирующих спектр фотолюминесценции. Времена спада фотолюминесценции указывают на вероятность межуровневой излучательной рекомбинации со второго возбужденного состояния, что особенно важно при конструировании приборов, работающих в среднем инфракрасном диапазоне.

 PDF версия (234Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2004, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster